Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Алтынов, В.А.
dc.contributor.author Дидык, А.Ю.
dc.date.accessioned 2015-03-16T13:04:35Z
dc.date.available 2015-03-16T13:04:35Z
dc.date.issued 2003
dc.identifier.citation Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах,облучаемых ионами / В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78374
dc.description.abstract Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов. uk_UA
dc.description.abstract Описана модель утворювання первинних пошкоджень при опроміненні кристалів іонами. Основою моделі є допущення, що дефекти виникають у разі кулонівського розштовхування сусідніх атомів кристалічної градки, іонізованих рухомими іонами. В моделі ураховується змінення середнього заряду іонів по мірі проникнення в зразок та розподіл іонів по набоям на даній глибині. Представлені результати розрахунків. uk_UA
dc.description.abstract The model of primary defects formation under ion irradiation of crystals is described. The model is based on suggestion that defects are created as a result of Coulomb repulsion of neighbouring atoms at crystalline lattice ionized by bombarding ions. The changes of average charge of ions and the charge distribution of ions versus the depth of ion penetration to crystal are taken into account. The results of calculation are presented. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Вопросы атомной науки и техники
dc.subject Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах uk_UA
dc.title Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами uk_UA
dc.title.alternative Вплив зарядності іонів на формування профіля первинних пошкоджень в кристалах, опромінених іонами uk_UA
dc.title.alternative Effect of ions charging on the profile of primary damage in ion irradiated crystals uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 538.97


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис