Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
Тема:
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
УДК:
621.315.592:658.511.5
Посилання:
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
Дата:
2001
Переглядів:
777
Завантажень:
580
Анотація:
Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента.
