Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

dc.contributor.author	Ковтун, Г.П.
dc.contributor.author	Кравченко, А.И.
dc.contributor.author	Щербань, А.П.
dc.date.accessioned	2014-11-15T19:06:46Z
dc.date.available	2014-11-15T19:06:46Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70897
dc.description.abstract	Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592:658.511.5