Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

Мокрицкий, В.А. ; Гаркавенко, А.С. ; Зубарев, В.В. ; Ленков, С.В.

Інші назви: Радіаційне легування сульфіда кадмію та арсеніда галію

Тема: Материалы для микроэлектроники

УДК: 536.84

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70711

Посилання: Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Дата: 2003

Завантажень: 717

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

Анотація:

Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера.

Показати повний запис статті