Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

dc.contributor.author	Мокрицкий, В.А.
dc.contributor.author	Гаркавенко, А.С.
dc.contributor.author	Зубарев, В.В.
dc.contributor.author	Ленков, С.В.
dc.date.accessioned	2014-11-11T14:57:52Z
dc.date.available	2014-11-11T14:57:52Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70711
dc.description.abstract	Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия	uk_UA
dc.title.alternative	Радіаційне легування сульфіда кадмію та арсеніда галію	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	536.84