Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
Інші назви:
Дослідження властивостей полікремнію на ізоляторі при кріогенних температурах для створення сенсорів
Тема:
Материалы для микроэлектроники
УДК:
625.315.592
Посилання:
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
Дата:
2003
Переглядів:
751
Завантажень:
407
Анотація:
Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве высокочувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·10²⁰ см⁻³). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей.
