Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров

dc.contributor.author	Дружинин, А.А.
dc.contributor.author	Марьямова, И.И.
dc.contributor.author	Матвиенко, С.Н.
dc.contributor.author	Хорвенко, Ю.Н.
dc.date.accessioned	2014-11-11T14:56:15Z
dc.date.available	2014-11-11T14:56:15Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70710
dc.description.abstract	Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве высокочувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·10²⁰ см⁻³). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров	uk_UA
dc.title.alternative	Дослідження властивостей полікремнію на ізоляторі при кріогенних температурах для створення сенсорів	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	625.315.592