Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
УДК:
583.945
Посилання:
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
Дата:
2004
Переглядів:
970
Завантажень:
517
Анотація:
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.
