Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення інформатики
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2004
→
Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2004, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Войтович, И.Д.
dc.contributor.author	Лебедева, Т.С.
dc.contributor.author	Шпилевой, П.Б.
dc.contributor.author	Якопов, Г.В.
dc.date.accessioned	2010-03-02T11:50:44Z
dc.date.available	2010-03-02T11:50:44Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1817-9908
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6403
dc.description.abstract	Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України	uk_UA
dc.title	Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	583.945