Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Босый, В.И. ; Данилов, Н.Г. ; Кохан, В.П. ; Новицкий, В.А. ; Семашко, Е.М. ; Ткаченко, В.В. ; Шпоняк, Т.А.

Інші назви: Формування прозорих омічних контактів до р-GaN для світловипромінюючих діодів
Formation of transparent ohmic contacts to p-GaN for light emitting diodes

Тема: Функциональная микро- и наноэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813

Посилання: Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Дата: 2007

Завантажень: 780