Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

dc.contributor.author	Босый, В.И.
dc.contributor.author	Данилов, Н.Г.
dc.contributor.author	Кохан, В.П.
dc.contributor.author	Новицкий, В.А.
dc.contributor.author	Семашко, Е.М.
dc.contributor.author	Ткаченко, В.В.
dc.contributor.author	Шпоняк, Т.А.
dc.date.accessioned	2014-01-07T18:58:06Z
dc.date.available	2014-01-07T18:58:06Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813
dc.description.abstract	Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов	uk_UA
dc.title.alternative	Формування прозорих омічних контактів до р-GaN для світловипромінюючих діодів	uk_UA
dc.title.alternative	Formation of transparent ohmic contacts to p-GaN for light emitting diodes	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA