Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
Інші назви:
Властивості епітаксіальних шарів GaAs, легованих рідкісноземельними елементами
Rear earth doped epitaxial layers of GaAs properties
Rear earth doped epitaxial layers of GaAs properties
Тема:
Материалы
Посилання:
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
Дата:
2007
Переглядів:
739
Завантажень:
727
Анотація:
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.
