Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами

dc.contributor.author	Круковский, С.И.
dc.contributor.author	Сыворотка, Н.Я.
dc.date.accessioned	2014-01-06T20:14:28Z
dc.date.available	2014-01-06T20:14:28Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781
dc.description.abstract	Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы	uk_UA
dc.title	Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами	uk_UA
dc.title.alternative	Властивості епітаксіальних шарів GaAs, легованих рідкісноземельними елементами	uk_UA
dc.title.alternative	Rear earth doped epitaxial layers of GaAs properties	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA