Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
Інші назви:
Гетероструктури на основі GaAs з квантовими точками InAs для фотоелектричних перетворювачів
Heterostructures on the basis of GaAs with quantum points of InAs for photo-electric transformers
Heterostructures on the basis of GaAs with quantum points of InAs for photo-electric transformers
Тема:
Энергетическая электроника
Посилання:
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
Дата:
2008
Переглядів:
870
Завантажень:
812
Анотація:
Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки.
