Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

dc.contributor.author	Марончук, И.Е.
dc.contributor.author	Дображанский, Ю.А.
dc.date.accessioned	2014-01-04T18:04:24Z
dc.date.available	2014-01-04T18:04:24Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52534
dc.description.abstract	Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Энергетическая электроника	uk_UA
dc.title	Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей	uk_UA
dc.title.alternative	Гетероструктури на основі GaAs з квантовими точками InAs для фотоелектричних перетворювачів	uk_UA
dc.title.alternative	Heterostructures on the basis of GaAs with quantum points of InAs for photo-electric transformers	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA