Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Форш, П.А. ; Форш, Е.А. ; Мартышов, М.Н. ; Тимошенко, В.Ю. ; Кашкаров, П.К.

Інші назви: Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію
Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon

Тема: Функциональная микро- и наноэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328

Посилання: Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Дата: 2009

Завантажень: 455

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Анотація:

Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.

Показати повний запис статті