Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

dc.contributor.author	Форш, П.А.
dc.contributor.author	Форш, Е.А.
dc.contributor.author	Мартышов, М.Н.
dc.contributor.author	Тимошенко, В.Ю.
dc.contributor.author	Кашкаров, П.К.
dc.date.accessioned	2013-12-29T22:11:57Z
dc.date.available	2013-12-29T22:11:57Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328
dc.description.abstract	Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив термічного окислення на анізотропію електропровідності і фотопровідності наноструктурованого кремнію	uk_UA
dc.title.alternative	Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA