Розвиток поміщицьких господарств Правобережної України в кінці ХІХ – на початку ХХ століттяФотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Бобренко, Ю.Н. ; Ярошенко, Н.В. ; Шереметова, Г.И. ; Семикина, Т.В. ; Атдаев, Б.С.

Інші назви: Фотоприймачи ультрафіолетового випромінювання на основі тонких плівок ZnS
Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films

Тема: Функциональная микро- и наноэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52310

Посилання: Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Дата: 2009

Завантажень: 612

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Анотація:

Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·

Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару.

High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.

Показати повний запис статті