Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

dc.contributor.author	Бобренко, Ю.Н.
dc.contributor.author	Ярошенко, Н.В.
dc.contributor.author	Шереметова, Г.И.
dc.contributor.author	Семикина, Т.В.
dc.contributor.author	Атдаев, Б.С.
dc.date.accessioned	2013-12-29T17:16:22Z
dc.date.available	2013-12-29T17:16:22Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52310
dc.description.abstract	Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·	uk_UA
dc.description.abstract	Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару.	uk_UA
dc.description.abstract	High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS	uk_UA
dc.title.alternative	Фотоприймачи ультрафіолетового випромінювання на основі тонких плівок ZnS	uk_UA
dc.title.alternative	Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA