Анотація:
Представлено новий підхід до розв'язання проблеми керування параметрами напівпровідникових матеріалів у межах кремнієвої технології виготовлення КМОН-приладів, а також проблеми управління характеристиками активних акустоелектронних пристроїв і створення на їх основі датчиків нового покоління. Він полягає у використанні ультразвукової обробки напівпровідникових пластин під час імплантації (акустоіонні технології) та вивченні фізичних явищ, які виникають у процесі поширення акустичних хвиль в анізотропних п'єзоелектриках (акустоелектронні технології). Ефективність та універсальність акустоіонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені патентами на винахід, можуть мати суттєве значення для розвитку приладо-інформаційних технологій і машинобудування, а також можуть бути базовими для ряду таких перспективних науково-технічних напрямів, як технологія тонких плівок, наноелектроніка, функціональна мікроелектроніка, оптоелектроніка.
Опис:
The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as
to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on
these devices. The approach is to use ultrasonic treatment of semi-conduct plates during implantation (acousticion
technologies) and to investigate physical phenomena that occur during acoustic waves spread in anisotropic piezoelectrics (acoustic-electron technologies). Ef fectiveness and universality of acoustic-ion and acousticelectron methods which priorities are proved by patents
for invention can play an important role for
instrument-making industry, information technologies, machine building, as well as become the basis of such advance scientific and engineering trends as thin film
technology, nanoelectronics, functional microelectronics, optoelectronics.