Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Акустойонні та акустоелектронні технології
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Мачулін, В.Ф. | |
| dc.contributor.author | Лепіх, Я.І. | |
| dc.contributor.author | Оліх, Я.М. | |
| dc.contributor.author | Романюк, Б.М. | |
| dc.date.accessioned | 2008-04-23T14:26:36Z | |
| dc.date.available | 2008-04-23T14:26:36Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.identifier.citation | Акустоіонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісн. НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8. — Бібліогр.: 11 назв. — укp. | en_US |
| dc.identifier.issn | 0372-6436 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/523 | |
| dc.description | The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on these devices. The approach is to use ultrasonic treatment of semi-conduct plates during implantation (acousticion technologies) and to investigate physical phenomena that occur during acoustic waves spread in anisotropic piezoelectrics (acoustic-electron technologies). Ef fectiveness and universality of acoustic-ion and acousticelectron methods which priorities are proved by patents for invention can play an important role for instrument-making industry, information technologies, machine building, as well as become the basis of such advance scientific and engineering trends as thin film technology, nanoelectronics, functional microelectronics, optoelectronics. | en_US |
| dc.description.abstract | Представлено новий підхід до розв'язання проблеми керування параметрами напівпровідникових матеріалів у межах кремнієвої технології виготовлення КМОН-приладів, а також проблеми управління характеристиками активних акустоелектронних пристроїв і створення на їх основі датчиків нового покоління. Він полягає у використанні ультразвукової обробки напівпровідникових пластин під час імплантації (акустоіонні технології) та вивченні фізичних явищ, які виникають у процесі поширення акустичних хвиль в анізотропних п'єзоелектриках (акустоелектронні технології). Ефективність та універсальність акустоіонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені патентами на винахід, можуть мати суттєве значення для розвитку приладо-інформаційних технологій і машинобудування, а також можуть бути базовими для ряду таких перспективних науково-технічних напрямів, як технологія тонких плівок, наноелектроніка, функціональна мікроелектроніка, оптоелектроніка. | en_US |
| dc.language.iso | uk | en_US |
| dc.publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | №5 | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | С. 3-8 | en_US |
| dc.subject | Статті та огляди | en_US |
| dc.title | Акустойонні та акустоелектронні технології | en_US |
| dc.title.alternative | Acoustic-Ion and Acoustic-Electron Technologies | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.status | published earlier | en_US |
