Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В

Abstract

Предложена технология изготовления кремниевого стабилитрона. Определены удельное сопротивление подложки, режим диффузии фосфора в подложку, обеспечивающие требуемые значения напряжения стабилизации в заданном диапазоне температуры.

Приведено результати оптимізаційного моделювання оригінального техпроцесу виготовлення та електричних характеристик стабілітронів з напругою стабілізації Uст=6,5±0,5 В. Маршрут виготовлення стабілітрона включає формування областей охоронних кілець n⁺-типу в підкладці р-типу формування р-n-переходу в підкладці р-типу формування міжшарового оксиду напилення металу. В результаті розрахунків електричних характеристик були одержані значення напруги стабілізації і диференціального опору зворотньої гілки ВАХ стабілітрона нормальної, зниженої і підвищеної температури.

The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5 ±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n⁺-type guard rings regions formation in the p-type substrate; the p-n-junction formation in the ptype substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature.