Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В

dc.contributor.author	Дудар, Н.Л.
dc.contributor.author	Сякерский, В.С.
dc.contributor.author	Корытко, Н.Н.
dc.date.accessioned	2013-12-26T23:31:56Z
dc.date.available	2013-12-26T23:31:56Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н.Л. Дудар, В.С. Сякерский, Н.Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 10-12. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52054
dc.description.abstract	Предложена технология изготовления кремниевого стабилитрона. Определены удельное сопротивление подложки, режим диффузии фосфора в подложку, обеспечивающие требуемые значения напряжения стабилизации в заданном диапазоне температуры.	uk_UA
dc.description.abstract	Приведено результати оптимізаційного моделювання оригінального техпроцесу виготовлення та електричних характеристик стабілітронів з напругою стабілізації Uст=6,5±0,5 В. Маршрут виготовлення стабілітрона включає формування областей охоронних кілець n⁺-типу в підкладці р-типу формування р-n-переходу в підкладці р-типу формування міжшарового оксиду напилення металу. В результаті розрахунків електричних характеристик були одержані значення напруги стабілізації і диференціального опору зворотньої гілки ВАХ стабілітрона нормальної, зниженої і підвищеної температури.	uk_UA
dc.description.abstract	The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5 ±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n⁺-type guard rings regions formation in the p-type substrate; the p-n-junction formation in the ptype substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Электронные средства: исследования, разработки	uk_UA
dc.title	Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В	uk_UA
dc.title.alternative	Моделюваня електричних характеристик та розрахунок конструктивних параметрів кремнієвого стабілітрона з напругою стабілізації 6,5 В	uk_UA
dc.title.alternative	The electric characteristics simulation and structural parameters calculation of Si-based stabilitron with stabilizing voltage 6,5	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA