Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения

Abstract

Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей.

Методом хімічного осадження з газової фази стимульованого низькотемпературною плазмою β-дикетонату індію отримані покриття оксиду індію на скляних і кремнієвих підкладках. Аналіз методами скануючої електронної мікроскопії та електронної мікроскопії високої роздільної здатності показує, що в результаті цього утворюються регулярні наноострівні структури, морфологія і просторове розміщення яких визначає температурну залежність електропровідності та оптичного пропускання. Вивчено залежності електрофізичних і оптичних властивостей від умов осадження.

The method of chemical vapor deposition stimulated by low-temperature plasma β-diketonates of indium obtained indium oxide coating on glass and silicon substrates. Analysis of scanning electron microscopy and electron microscopy, high resolution shows that as a result of the formation of regular nano-island structure, morphology and spatial distribution of which determines the temperature dependence of electrical conductivity and optical transmission. We study the dependence of the electrical and optical properties of the deposition conditions. The promising applications of thin films and nano-island structures of indium oxide for modern nanotechnology purposes are signified.