Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Герасимчук, А.И.
dc.contributor.author Железнова, Л.И.
dc.contributor.author Мазуренко, Е.А.
dc.contributor.author Мурафа, Н.
dc.contributor.author Роговцов, А.А.
dc.contributor.author Шубрт, Я.
dc.date.accessioned 2022-11-10T19:30:44Z
dc.date.available 2022-11-10T19:30:44Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.citation Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0041–6045
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/186259
dc.description.abstract Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей. uk_UA
dc.description.abstract Методом хімічного осадження з газової фази стимульованого низькотемпературною плазмою β-дикетонату індію отримані покриття оксиду індію на скляних і кремнієвих підкладках. Аналіз методами скануючої електронної мікроскопії та електронної мікроскопії високої роздільної здатності показує, що в результаті цього утворюються регулярні наноострівні структури, морфологія і просторове розміщення яких визначає температурну залежність електропровідності та оптичного пропускання. Вивчено залежності електрофізичних і оптичних властивостей від умов осадження. uk_UA
dc.description.abstract The method of chemical vapor deposition stimulated by low-temperature plasma β-diketonates of indium obtained indium oxide coating on glass and silicon substrates. Analysis of scanning electron microscopy and electron microscopy, high resolution shows that as a result of the formation of regular nano-island structure, morphology and spatial distribution of which determines the temperature dependence of electrical conductivity and optical transmission. We study the dependence of the electrical and optical properties of the deposition conditions. The promising applications of thin films and nano-island structures of indium oxide for modern nanotechnology purposes are signified. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Украинский химический журнал
dc.subject Неорганическая и физическая химия uk_UA
dc.title Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения uk_UA
dc.title.alternative Плазмохімічний синтез, структура тонких плівок оксиду індію і залежність їх електрофізичних і оптичних властивостей від режимів осадження uk_UA
dc.title.alternative Plasma-chemical synthesis, structure of indium oxide thin films and the dependence of its electrophysical and optical properties from the deposition option uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 541.49+544.72


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис