Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2010
→
Вопросы атомной науки и техники, 2010, № 2
→
Переглянути статтю

Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях

Довбня, А.Н. ; Ефимов, В.П. ; Абызов, А.С. ; Шаповал, И.И. ; Рыбка, А.В. ; Березняк, Е.П. ; Закутин, В.В. ; Решетняк, Н.Г. ; Ромасько, В.П.

Інші назви: Радіаційне дефектоутворення для зміни електрофізичних характеристик у кремнієвих фотоперетворювачах
Radiation-induced defect formation for change of electrophysical characteristics in silicon photoconverters

Тема: Применение ускорителей

УДК: 621.3.049.77

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15712

Посилання: Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях / А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, А.С. Абызов, И.И. Шаповал, А.В. Рыбка, Е.П. Березняк, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 164-167. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Дата: 2010

Завантажень: 777

Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях

Анотація:

Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения.

Досліджено радіаційні процеси формування аморфно-мікрокристалічних гетероструктур з квантовими нитями, які забезпечують відведення носіїв заряду з об'єму напівпровідника у кремнієвих фотоперетворювачах нового покоління.

Radiation processes of formation of amorphous-microcrystalline heterostructures with the quantum threads, providing charge carriers collection from semiconductor bulk in the silicon photoconverters of new generation are investigated.

Показати повний запис статті