Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Довбня, А.Н. | |
| dc.contributor.author | Ефимов, В.П. | |
| dc.contributor.author | Абызов, А.С. | |
| dc.contributor.author | Шаповал, И.И. | |
| dc.contributor.author | Рыбка, А.В. | |
| dc.contributor.author | Березняк, Е.П. | |
| dc.contributor.author | Закутин, В.В. | |
| dc.contributor.author | Решетняк, Н.Г. | |
| dc.contributor.author | Ромасько, В.П. | |
| dc.date.accessioned | 2011-01-31T16:29:31Z | |
| dc.date.available | 2011-01-31T16:29:31Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях / А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, А.С. Абызов, И.И. Шаповал, А.В. Рыбка, Е.П. Березняк, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 164-167. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1562-6016 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15712 | |
| dc.description.abstract | Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Досліджено радіаційні процеси формування аморфно-мікрокристалічних гетероструктур з квантовими нитями, які забезпечують відведення носіїв заряду з об'єму напівпровідника у кремнієвих фотоперетворювачах нового покоління. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Radiation processes of formation of amorphous-microcrystalline heterostructures with the quantum threads, providing charge carriers collection from semiconductor bulk in the silicon photoconverters of new generation are investigated. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України | uk_UA |
| dc.subject | Применение ускорителей | uk_UA |
| dc.title | Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях | uk_UA |
| dc.title.alternative | Радіаційне дефектоутворення для зміни електрофізичних характеристик у кремнієвих фотоперетворювачах | uk_UA |
| dc.title.alternative | Radiation-induced defect formation for change of electrophysical characteristics in silicon photoconverters | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 621.3.049.77 |
