The model of spatial-temporal distribution of point defects in a three-layer stressed nanoheterosystem GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs considering the self-assembled deformation-diffusion interaction is constructed.
Побудовано модель просторово-часового розподiлу точкових дефектiв у тришаровiй напруженiй наногетеросистемi GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs з врахуванням самоузгодженої деформацiйно-дифузiйної взаємодiї.