А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier concentration and mobility have been determined. It is shown that the novel material has more perfect crystal structure as compared to HgCdTe. The obtained data allow announcing this material as an alternative one for manufacturing effective infrared detectors operating in the 3-5 µm and 8-14 µm spectral ranges.
Представлено результати дослiдження нового твердого розчину HgCdMnZnTe 3 вмiстом марганцю та цинку до 5 %. Проведенi дослiдження механiчних властивостей цих кристалiв та гальваномагнiтнi вимiрювання, а також зроблений їx рентгеноструктурний аналiз. Визначено ширину забороненої зони, концентрацiю та рухливiсть власних носiїв струму. Показано, що новий матерiал має бiльш досконалу кристалiчну структуру у порiвняннi 3 HgCdMnZnTe. Отриманi данi ДозволяютЬ зробити висновок про те, що даний матерiал може бути розглянутий як альтернативний при створеннi ефективних фотоприймачiв, що працюють у 3-5 мкм та 8-14 мкм спектральних дiапазонах.
Представлены результаты исследования нового полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe с содержанием марганца и цинка До 5 %. Проведены исследования механических свойств и гальваномагнитные измерения этих кристаллов, а также проведен их рентгеноструктурный анализ. Определены основные электрофизические параметры, такие как ширина запрещенной зоны, концентрация и подвижность собственных носителей заряда. Показано, что новый материал имеет более совершенную кристаллическую структуру по сравнению с HgCdTe. Полученные данные позволяют сделать вывод о том, что данный материал может рассматриваться как альтернативный при создании эффективных фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм.
