Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Popenko, N.
dc.contributor.author Ivanchenko, I.
dc.contributor.author Brovenko, I.
dc.contributor.author Zhigalov, A.
dc.contributor.author Karelin, S.
dc.contributor.author Gorbatyuk, I.
dc.contributor.author Ostapov, S.
dc.contributor.author Dremlyuzhenko, S.
dc.contributor.author Rarenko, I.
dc.contributor.author Zaplitnyi, R.
dc.contributor.author Fodchuk, I.
dc.contributor.author Deibuk, V.G.
dc.date.accessioned 2018-06-22T13:51:38Z
dc.date.available 2018-06-22T13:51:38Z
dc.date.issued 2006
dc.identifier.citation Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140079
dc.description.abstract А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier concentration and mobility have been determined. It is shown that the novel material has more perfect crystal structure as compared to HgCdTe. The obtained data allow announcing this material as an alternative one for manufacturing effective infrared detectors operating in the 3-5 µm and 8-14 µm spectral ranges. uk_UA
dc.description.abstract Представлено результати дослiдження нового твердого розчину HgCdMnZnTe 3 вмiстом марганцю та цинку до 5 %. Проведенi дослiдження механiчних властивостей цих кристалiв та гальваномагнiтнi вимiрювання, а також зроблений їx рентгеноструктурний аналiз. Визначено ширину забороненої зони, концентрацiю та рухливiсть власних носiїв струму. Показано, що новий матерiал має бiльш досконалу кристалiчну структуру у порiвняннi 3 HgCdMnZnTe. Отриманi данi ДозволяютЬ зробити висновок про те, що даний матерiал може бути розглянутий як альтернативний при створеннi ефективних фотоприймачiв, що працюють у 3-5 мкм та 8-14 мкм спектральних дiапазонах. uk_UA
dc.description.abstract Представлены результаты исследования нового полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe с содержанием марганца и цинка До 5 %. Проведены исследования механических свойств и гальваномагнитные измерения этих кристаллов, а также проведен их рентгеноструктурный анализ. Определены основные электрофизические параметры, такие как ширина запрещенной зоны, концентрация и подвижность собственных носителей заряда. Показано, что новый материал имеет более совершенную кристаллическую структуру по сравнению с HgCdTe. Полученные данные позволяют сделать вывод о том, что данный материал может рассматриваться как альтернативный при создании эффективных фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.title Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals uk_UA
dc.title.alternative Деякі характеристики напівпровідникового твердого розчину кристалів HgCdMnZnTe uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис