Effective thickness of the planar detector in measurements of electrons energy loss

Abstract

An experimental method of determining the active region thickness of Si planar detector was used. The method based on the dependence the depletion layer thickness from voltage applied to the detector (U = 0...60 V ). The electron energy loss spectra emitted by ⁹⁰Sr -⁹⁰Y in silicon planar detector were measured. The relative values of most probable energy loss of electrons were de ned for different thickness of detector. The planar detector was considered as a parallel-plate capacitor. The static (capacity) and dynamic (the detection efficiency and the energy deposit) characteristics had a root dependence on voltage.

Використовувався експериментальний метод визначення товщини активної області Si-планарного детектора. Метод заснований на залежності товщини збідненого шару від напруги, прикладеної до детектора (0...60 В). Вимірювалися спектри втрат енергії електронів, що випускаються ⁹⁰Sr -⁹⁰Y в кремнієвому планарному детекторі. Були визначені відносні значення найбільш ймовірних втрат енергії електронів для різної товщини детектора. Плоский детектор розглядався як конденсатор з паралельними пластинами. Статична (ємність) і динамічна (ефективність реєстрації та енергетичні втрати) характеристики мають кореневу залежністю від напруги.

Использовался экспериментальный метод определения толщины активной области Si-планарного детектора. Метод основан на зависимости толщины обедненного слоя от напряжения, приложенного к детектору (0...60 В). Измерялись спектры потерь энергии электронов, испускаемые ⁹⁰Sr -⁹⁰Y в кремниевом планарном детекторе. Были определены относительные значения наиболее вероятных потерь энергии электронов для различной толщины детектора. Плоский детектор рассматривался как конденсатор с параллельными пластинами. Статическая (емкость) и динамическая (эффективность регистрации и энергетические потери) характеристики имеют корневую зависимостью от напряжения.