Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах

Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах

Інші назви: Two-dimensional electron systems with strong interaction in silicon field structures

Тема: Электронные свойства низкоразмерных систем

Інший ID: PACS: 71.30.+h, 73.43.–f

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127511

Посилання: Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах / В.Т. Долгополов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 143-152. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Підтримка: Автор приносит искреннюю благодарность Т. Клапвайку, предложившему и реализовавшему дизайн кремниевых полевых структур, позволивший уверенно работать с электронами малой плотности, С.В. Кравченко, М. Сакру, С. Анисимовой, А.А. Шашкину, В.С. Храпаю и А. Гольду за сотрудничество. Взгляд автора на рассмотренную выше проблему сформировался в результате обсуждений с упомянутыми выше соавторами, а также с В.Ф. Гантмахером, А. Финкельштейном, М. Зверевым и В. Ходелем, за что автор приносит им глубочайшую благодарность. Часть работы, выполненная в России, была поддержана РФФИ, программами РАН и программой поддержки ведущих научных школ.

Дата: 2007

Завантажень: 220

Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах

Анотація:

Приведен краткий обзор результатов экспериментальных исследований сильно взаимодействующей двумерной ферми-жидкости в кремниевых полевых структурах. Путем экстраполяции экспериментальных данных из металлической области сделаны выводы о расходимости эффективной массы электронов и обращении в нуль поля полной спиновой поляризации при конечной концентрации электронов.

Приведено короткий огляд результатів експериментальних досліджень сильно взаємодіючої двовимірної фермі-рідини в кремнієвих польових структурах. Шляхом екстраполяції експериментальних даних з металевої області зроблено висновки про розбіжність ефективної маси електронів і зверненні до нуля поля повної спінової поляризації при кінцевій концентрації електронів.

The experimental results for a strongly-interacting 2D electron system in Si MOSFETs are reviewed. Extrapolating the data obtained in the metallic region, suggests that the effective electron and the field of total spin polarization tend to diverge and to vanish, respectively, at a finite electron density.

Показати повний запис статті