Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Долгополов, В.Т. |
|
dc.date.accessioned |
2017-12-23T17:28:32Z |
|
dc.date.available |
2017-12-23T17:28:32Z |
|
dc.date.issued |
2007 |
|
dc.identifier.citation |
Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах / В.Т. Долгополов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 143-152. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 71.30.+h, 73.43.–f |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127511 |
|
dc.description.abstract |
Приведен краткий обзор результатов экспериментальных исследований сильно взаимодействующей двумерной ферми-жидкости в кремниевых полевых структурах. Путем экстраполяции экспериментальных данных из металлической области сделаны выводы о расходимости
эффективной массы электронов и обращении в нуль поля полной спиновой поляризации при
конечной концентрации электронов. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Приведено короткий огляд результатів експериментальних досліджень сильно взаємодіючої
двовимірної фермі-рідини в кремнієвих польових структурах. Шляхом екстраполяції експериментальних даних з металевої області зроблено висновки про розбіжність ефективної маси
електронів і зверненні до нуля поля повної спінової поляризації при кінцевій концентрації
електронів. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The experimental results for a strongly-interacting
2D electron system in Si MOSFETs are
reviewed. Extrapolating the data obtained in the
metallic region, suggests that the effective electron
and the field of total spin polarization tend
to diverge and to vanish, respectively, at a finite
electron density. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
Автор приносит искреннюю благодарность Т. Клапвайку, предложившему и реализовавшему дизайн кремниевых полевых структур, позволивший уверенно
работать с электронами малой плотности, С.В. Кравченко, М. Сакру, С. Анисимовой, А.А. Шашкину, В.С. Храпаю и А. Гольду за сотрудничество. Взгляд автора на рассмотренную выше проблему сформировался в результате обсуждений с упомянутыми выше соавторами, а также с В.Ф. Гантмахером, А. Финкельштейном, М. Зверевым и В. Ходелем, за что автор приносит им глубочайшую благодарность. Часть работы, выполненная в России, была поддержана РФФИ, программами РАН и программой поддержки ведущих научных школ. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Электронные свойства низкоразмерных систем |
uk_UA |
dc.title |
Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Two-dimensional electron systems with strong interaction in silicon field structures |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті