Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

Арапов, Ю.Г. ; Гудина, С.В. ; Клепикова, А.С. ; Неверов, В.Н. ; Харус, Г.И. ; Шелушинина, Н.Г. ; Якунин, М.В.

Інші назви: Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination

Тема: XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

Інший ID: PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.–f

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122031

Посилання: Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 139-146. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Підтримка: Работа выполнена в рамках государственного задания по теме «Спин» № 01201463330 (проекты №12-П- 2-1051 и №14-2-НП-33) и при частичной поддержке РФФИ, гранты 14-02-31164, 14-02-00151.

Дата: 2015

Завантажень: 317

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

Анотація:

Экспериментально исследованы продольное pxx(B,T) и холловское pxy (B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато квантового эффекта Холла на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга.

Експериментально досліджено подовжнє pxx(B,T) та холловське pxy(B,T) магнітоопіри у режимі цілочисельного квантового ефекту Холлу в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою квантовою ямою в діапазоні магнітних полів B = 0–12 Tл та температур T = 0,4–4,2 К до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато квантового ефекту Холлу на основі подавань теорії двохпараметричного скейлінгу.

The longitudinal pxx(B,T) and Hall pxy(B,T) resistivities in the quantum Hall effect (QHE) regime for n-InGaAs/GaAs nanostructures with single quantum wells are investigated at B = 0–12 T and T = 0.4–4.2 K, before and after IR illumination. The temperature dependences of QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed by using the two-parameter scaling theory.

Показати повний запис статті