Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

Abstract

Экспериментально исследованы продольное pxx(B,T) и холловское pxy (B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато квантового эффекта Холла на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга.

Експериментально досліджено подовжнє pxx(B,T) та холловське pxy(B,T) магнітоопіри у режимі цілочисельного квантового ефекту Холлу в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою квантовою ямою в діапазоні магнітних полів B = 0–12 Tл та температур T = 0,4–4,2 К до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато квантового ефекту Холлу на основі подавань теорії двохпараметричного скейлінгу.

The longitudinal pxx(B,T) and Hall pxy(B,T) resistivities in the quantum Hall effect (QHE) regime for n-InGaAs/GaAs nanostructures with single quantum wells are investigated at B = 0–12 T and T = 0.4–4.2 K, before and after IR illumination. The temperature dependences of QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed by using the two-parameter scaling theory.