Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, том 9
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 2
→
Переглянути статтю

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures

Boltovets, N.S. ; Konakova, R.V. ; Kudryk, Ya.Ya. ; Milenin, V.V. ; Mitin, V.F. ; Mitin, E.V. ; Lytvyn, O.S. ; Kapitanchuk, L.M.

Інший ID: PACS 81.05.Rm

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121434

Посилання: Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures / N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin, O.S. Lytvyn, L.M. Kapitanchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.

Дата: 2006

Завантажень: 425

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures

Анотація:

We consider ohmic contacts to the n-InSb epitaxial layers grown on a semi-insulating GaAs substrate. The ohmic contacts are formed through titanium metallization with subsequent gilding. Using the structural (AFM and XRD) and analytical (AES) techniques, we showed that thermal annealings at Т = 300 °С (for 60 s) and 360 °С (for 30 s) do not change the phase composition of the metallization. This ensures thermal stability of the contacts and Hall sensors made on the basis of Au–Ti–n-InSb–GaAs(i) structures.

Показати повний запис статті