Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, том 9
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
Інший ID:
PACS 81.05.Ea, 83.85.St, 68.35.Ct
Посилання:
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system / S.V. Shutov, Ye.A. Baganov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 23-25. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Підтримка:
The authors thank DSc, Professor I.V. Kurylo for his
useful discussions.
Дата:
2006
Переглядів:
773
Завантажень:
371
Анотація:
Mechanical strains taking place in GaSb/InAs heterosystem in the presence of misfit dislocation network are investigated. Distributions of energy of strains and deformations in the system with misfit dislocation network were found using two-dimensional simulation. The radius of the dislocation core, depths of the strain penetration into the substrate and epitaxial layer as well as change of the material bandgaps near the heterointerface were calculated.
