Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-ﬁlling

Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-ﬁlling

Інші назви: Температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні

Інший ID: DOI:10.5488/CMP.2.3.447
PACS: 71.30.+h, 71.28.+d, 71.10.Fd, 71.27.+a

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120523

Посилання: Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-ﬁlling / L. Didukh, V. Hankevych // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 447-452. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Підтримка: The authors are grateful to Prof. I. Stasyuk for valuable discussions as well as to the Organizing Committee of the INTAS-Ukraine Workshop on Condensed Matter Physics for grant.

Дата: 1999

Завантажень: 375

Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-ﬁlling

Анотація:

In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-ﬁlling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model. The results are applied to the interpretation of some experimental data.

У цій роботі вивчається температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні. Показано, що результати, отримані у розглядуваній моделі, суттєво відрізняються від результатів моделі Габбарда.

Показати повний запис статті