Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Saddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Saddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals
Інший ID:
PACS 71.35. + z.
Посилання:
Saddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals / O.O. Kudryavtsev, M.P. Lisitsa, F.V. Motsnyi, S.V. Virko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 19-22. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
Підтримка:
The authors are grateful to O.S. Sergeev for his assistance in RS measurements.
Дата:
1999
Переглядів:
1083
Завантажень:
645
Анотація:
Excitonic resonances near the critical saddle point of M₁ sort by van Hove have been revealed for the first time in the BiI₃ layered semiconductor. Their main parameters are estimated.
