Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation

Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation

Інші назви: Рiст графену на 6H–SiC в симуляцiях методом молекулярної динамiки

Інший ID: PACS: 81.05.ue 31.15.xv 68.55.A-
DOI:10.5488/CMP.14.43802
arXiv:1202.4846

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120056

Посилання: Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation / N. Jakse, R. Arifin, S.K. Lai // Condensed Matter Physics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 43802:1-7. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Підтримка: The author would like to thank the National Science Council of Taiwan for ﬁnancial support (NSC100–2119–M–008–023). We are grateful to the National Center for High-performance Computing, Taiwan for computer time and facilities. The supercomputing resource center Phynum/CIMENT is gratefully acknowledged for providing computing time.

Дата: 2011

Завантажень: 465

Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation

Анотація:

Classical molecular-dynamics simulations were carried out to study epitaxial growth of graphene on 6H-SiC(0001) substrate. It was found that there exists a threshold annealing temperature above which we observe formation of graphitic structure on the substrate. To check the sensitivity of the simulation results, we tested two empirical potentials and evaluated their reliability by the calculated characteristics of graphene, its carbon-carbon bond-length, pair correlation function, and binding energy.

Для того, щоб дослiдити епiтаксiальний рiст графену на пiдкладцi 6H–SiC(0001) здiйснено симуляцiї методом класичної молекулярної динамiки. Знайдено iснування порогу температури вiдпалу, вище якої спостерiгається формування на пiдкладцi структури графену. Для того, щоб перевiрити чутливiсть результатiв симуляцiй, ми тестуємо два емпiричних потенцiали i оцiнюємо їхню надiйнiсть шляхом розрахунку характеристик графену, довжини зв’язку вуглець-вуглець, парної кореляцiйної функцiї та енергiї зв’язку.

Показати повний запис статті