The effect of external factors on dielectric permittivity of Rochelle salt: humidity, annealing, stresses, electric field

The effect of external factors on dielectric permittivity of Rochelle salt: humidity, annealing, stresses, electric field

Slivka, A.G. ; Kedyulich, V.M. ; Levitskii, R.R. ; Moina, A.P. ; Romanyuk, M.O. ; Guivan, A.M.

Інші назви: Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність сегнетової солі: вологість, відпал, тиски, електричне поле

Інший ID: PACS: 77.80.Bh, 77.22.Ch
DOI:10.5488/CMP.8.3.623

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119744

Посилання: The effect of external factors on dielectric permittivity of Rochelle salt: humidity, annealing, stresses, electric field / A.G. Slivka, V.M. Kedyulich, R.R. Levitskii, A.P. Moina, M.O. Romanyuk, A.M. Guivan // Condensed Matter Physics. — 2005. — Т. 8, № 3(43). — С. 623–638. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.

Підтримка: The authors acknowledge support of Fundamental Researches State Fund of Ukraine, project No. 02.07/00310.

Дата: 2005

Завантажень: 386

The effect of external factors on dielectric permittivity of Rochelle salt: humidity, annealing, stresses, electric field

Анотація:

The effect of external factors, such as dessicating/wetting, thermal annealing, uniaxial and hydrostatic pressure, on the dielectric permittivity of Rochelle salt crystals is investigated. The obtained results are compared with the available literature data and analyzed within the phenomenological Landau approach. A significant effect of the internal polar point defects in crystals and storage conditions on the dielectric permittivity is shown.

Робота містить результати експериментальних досліджень впливу зовнішніх факторів таких, як, висушування/зволоження, термічний відпал, електричне поле, одновісні тиски, гідростатичний тиск, на діелектричну проникність кристалів сегнетової солі. Отримані результати порівнюються з відомим літературними даними та аналізуються в рамках феноменологічного підходу. Показано, що умови зберігання та внутрішні полярні точкові дефекти суттєво впливають на діелектричну проникність кристалів.

Показати повний запис статті