Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Seyidov, М.Yu. ; Suleymanov, R.A. ; Acar, E. ; Одринский, А.П. ; Мамедов, Т.Г. ; Наджафов, А.И. ; Алиева, В.Б.

Інші назви: Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS₂ layered crystal

Тема: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках

Інший ID: PACS 61.44.Fw, 77.80.B–, 77.80.–e

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644

Посилання: Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Дата: 2014

Завантажень: 395

Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Анотація:

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.

Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму.

Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established

Показати повний запис статті