Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

dc.contributor.author	Seyidov, М.Yu.
dc.contributor.author	Suleymanov, R.A.
dc.contributor.author	Acar, E.
dc.contributor.author	Одринский, А.П.
dc.contributor.author	Мамедов, Т.Г.
dc.contributor.author	Наджафов, А.И.
dc.contributor.author	Алиева, В.Б.
dc.date.accessioned	2017-06-07T18:49:25Z
dc.date.available	2017-06-07T18:49:25Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.citation	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.other	PACS 61.44.Fw, 77.80.B–, 77.80.–e
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644
dc.description.abstract	Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.	uk_UA
dc.description.abstract	Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму.	uk_UA
dc.description.abstract	Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках	uk_UA
dc.title	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана	uk_UA
dc.title.alternative	Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS₂ layered crystal	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA