Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films
Інший ID:
PACS: 85.60.D
Посилання:
Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films / F.G. Agaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 2. — С. 91-92. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
Дата:
2001
Переглядів:
656
Завантажень:
289
Анотація:
Photoelectric properties of polycrystalline silicon films under illumination were investigated. It was shown that polysilicon films with fine grain sizes may be used as short-wave photodetectors, due to presence of shallow p-n junctions at their grain boundaries.
