Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Mathematic modeling the oxygen distribution mechanism in Si ingots during growing processes
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, том 7
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Mathematic modeling the oxygen distribution mechanism in Si ingots during growing processes
Інший ID:
PACS: 42.65; 42.70; 61.70
Посилання:
Mathematic modeling the oxygen distribution mechanism in Si ingots during growing processes / A.P. Oksanich, S.E. Pritchin, A.V. Vasheruk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 236-239. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
Дата:
2004
Переглядів:
699
Завантажень:
307
Анотація:
The article provides specified mathematic modeling of oxygen distribution mechanism in Si ingots. Experimentally such model parameters as quartz melting speed for different melting zones, initial oxygen concentration in melt, influence of crucible rotation speed on melting rate. The work outlines the results of computer modeling. The results of theoretical and experimental investigations carried make possible to predict oxygen concentration in Si ingot and define the technology parameters for growing ingots of stated concentration.
