Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, том 12
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect
Інший ID:
PACS 61.72, 72.20
Посилання:
Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band.
Magnetoresistivity and Hall-effect / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 349-356. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
Дата:
2009
Переглядів:
701
Завантажень:
367
Анотація:
Hall-effect and magnetoresistivity of electrons in multi-valley bands of Si and
Ge is considered with due regard for direct intervalley drag. Search of contribution of
this drag shows that this interactioin sufficiently changes both effects. Calculated here
values substantially differ from consequent those obtained on the base of popular -
approximation.
