Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, том 13
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
Інший ID:
PACS 61.20.Lc, 74.62.Dh
Посилання:
Relaxation process features of photoconductivity
in p-i-n structures / R.A. Mumimov, Sh.K. Kanyazov, A.K. Saymbetov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 259-261. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
Дата:
2010
Переглядів:
680
Завантажень:
297
Анотація:
We studied the relaxation processes of photoconductivity in Si(Li) p-i-n
structures. It has been shown that a clearly pronounced “well” is observed in time
dependences of the photovoltage pulse after photoexcitation of these structures. Our
experimental data are indicative of abnormal relaxation of photoconductivity in silicon pi-n
diodes.
