Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, том 10
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy
Інший ID:
PACS 07.35.+k, 39.30.+w, 71.20.Be, 71.20.Eh
Посилання:
Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy / Marek Grinberg // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 28-29. — англ.
Підтримка:
The research presented in this paper has been supported
by the Polish State Committee for Scientific Research by
grant No. 2P03 B057 23.
Дата:
2007
Переглядів:
651
Завантажень:
375
Анотація:
Using the high-pressure spectroscopy, the pressure shifts of the luminescence
related to the d-d transitions in transition metal ions and d-f transitions in rare earth ones,
which interact with the nearest neighbor host ions of dielectrics, are investigated. The
results are obtained for Ti³⁺, Ce³⁺, Pr³⁺, and Cr³⁺ ions in various lattices.
