Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures
Інший ID:
PACS: 72.50.+b
Посилання:
Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures / O.Ya. Olikh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 450-453. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
Підтримка:
The author would like to thank Prof. R.V. Konakova for helpful discussions.
Дата:
2003
Переглядів:
809
Завантажень:
462
Анотація:
The effects of microwave (2.45 GHz) treatment influence on the cross section for electron capture and the energy of the deep levels in the forbidden gap of GaAs monocrystals and n-n⁺ epitaxial structures have been investigated using acoustoelectric transient spectroscopy.
