Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET
Інший ID:
PACS: 85.30.De
Посилання:
New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET / N. Merabtine, S. Amourache, Y. Saidi, M. Zaabat, Ch. Kenzai // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 404-410. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
898
Завантажень:
395
Анотація:
New nonlinear model for simulating physical and geometrical parameters to determine the junctions capacities of "the Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistor" GaAs MESFET are represented in this paper. Non linear variations of the bias and gate-source and gate-drain capacities have been found. A simulated values show excellent agreement with experimental results.
